%0 Journal Article
%T SrS/α-SiO~2界面的XPS研究
%A 徐春祥
%A 徐征
%A 娄志东
%A 徐叙R$D吴建新$D季明荣
%J 化学学报
%P 999-1003
%D 1998
%X TFEL器件中绝缘层与发光层之间的界面对电荷的输运特性、发光特性等有着十分重要的作用。本文通过XPS的测量,分析了新结构器件中SrS/α-SiO~2界面的各成分的芯电子能谱的变化和深度分布,发现Sr^2^+向SiO~2中扩散较深并以氧化物的形态存在,介质层以SiO~x(x=1.65～1.70)的形态存在。这些丰富的界面态有可能成为TFEL器件的初电子源而对SrSCe发光有贡献。
%K 硫化物
%K 锶化合物
%K 二氧化硅
%K 界面
%K Ｘ射线光电子谱法
%K 化学位移
%K 电子态
%K 界面态
%K 电子结构
%K 输运
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract337665.shtml