聚吡咯并[3,4-c]吡咯的电子结构及导电性研究

采用密度泛函(DFT)方法在6-31g(d)水平下研究了聚吡咯和聚吡咯并[3,4-c]吡咯,以及它们的单体和低聚物的电子结构.对中心键的键长、电荷密度以及Weberg键级的研究表明,随着主链聚合度的增加,其共轭性增强.对聚合物还进行了能带结构和态密度分析.结果发现,在3位聚合的并环化合物具有最优的导电性能,其能隙仅有0.25eV,可以作为潜在的导电聚合物材料.