%0 Journal Article
%T 聚吡咯并[3,4-c]吡咯的电子结构及导电性研究
%A 胡武洪
%J 化学学报
%P 2402-2406
%D 2009
%X 采用密度泛函(DFT)方法在6-31g(d)水平下研究了聚吡咯和聚吡咯并[3,4-c]吡咯,以及它们的单体和低聚物的电子结构.对中心键的键长、电荷密度以及Weberg键级的研究表明,随着主链聚合度的增加,其共轭性增强.对聚合物还进行了能带结构和态密度分析.结果发现,在3位聚合的并环化合物具有最优的导电性能,其能隙仅有0.25eV,可以作为潜在的导电聚合物材料.
%K 聚吡咯并[3
%K 4-c]吡咯
%K 电子结构
%K 导电性
%K 能带结构
%K 态密度
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract330777.shtml