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化学学报 2011
SiO2/SiNx:H选择性刻蚀改善光诱导化学镀/电镀多晶硅太阳能电池过镀现象, PP. 848-852 Keywords: 过镀,选择性刻蚀,光诱导化学镀/电镀,多晶硅太阳能电池 Abstract: 自对准的光诱导化学镀/电镀技术以其栅线宽度小、工艺快捷高效等优点,成为制备选择性发射极太阳能电池的理想选择.然而,该技术的前序需要HF溶液有效去除重掺杂区表面SiO2的同时,避免在SiNxH掩模上刻蚀出微孔而露出衬底的硅,否则金属镍和银会在光诱导化学镀/电镀工艺中沉积在微孔中,导致过镀现象.这就要求预处理溶液对SiO2/SiNxH有很高的选择性刻蚀.本工作根据实验结果分析了产生过镀现象的原因,研究了进行SiO2/SiNxH选择性刻蚀的可行性.依据HF刻蚀SiO2和SiNxH的机理,通过调节HF缓释溶液的pH值,改善了多晶硅太阳能电池的过镀现象.
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