%0 Journal Article
%T SiO2/SiNx:H选择性刻蚀改善光诱导化学镀/电镀多晶硅太阳能电池过镀现象
%A 李涛
%A 周春兰
%A 宋洋
%A 张磊
%A 惠俊
%A 杨海峰
%A 郜志华
%A 段野
%A 李友忠
%A 励旭东
%A 许颖
%A 赵雷
%A 刘振刚
%A 王文静
%J 化学学报
%P 848-852
%D 2011
%X 自对准的光诱导化学镀/电镀技术以其栅线宽度小、工艺快捷高效等优点,成为制备选择性发射极太阳能电池的理想选择.然而,该技术的前序需要HF溶液有效去除重掺杂区表面SiO2的同时,避免在SiNxH掩模上刻蚀出微孔而露出衬底的硅,否则金属镍和银会在光诱导化学镀/电镀工艺中沉积在微孔中,导致过镀现象.这就要求预处理溶液对SiO2/SiNxH有很高的选择性刻蚀.本工作根据实验结果分析了产生过镀现象的原因,研究了进行SiO2/SiNxH选择性刻蚀的可行性.依据HF刻蚀SiO2和SiNxH的机理,通过调节HF缓释溶液的pH值,改善了多晶硅太阳能电池的过镀现象.
%K 过镀
%K 选择性刻蚀
%K 光诱导化学镀/电镀
%K 多晶硅太阳能电池
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract339888.shtml