全部 标题 作者
关键词 摘要

OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用:99美元

查看量下载量

相关文章

更多...
金属学报  1992 

钢表面化学气相沉积TiC晶体的择优取向

, PP. 85-89

Keywords: 择优取向,成膜速度,表面形貌,活性碳的平衡浓度

Full-Text   Cite this paper   Add to My Lib

Abstract:

本文用化学气相沉积(CVD)法,以TiCl_4-CH_4-H_2为原料气体,在不锈钢表面获得了致密的TiC膜.研究了TiC的成膜速度、表面形貌和晶体择优取向与沉积条什的关系.结果表明,沉积温度T_(dep),碳钛比CH_4/TiCl_4强烈地影响了TiC的成膜速度、表面形貌和晶体择优取向.CH_4/TiCl_4低时,TiC晶体的择优取向为(220)而CH_4/TiCl_4高时,TiC晶体的择优取向为(200).TiC晶体的择优取向主要取决于气氛中活性碳的平衡浓度。

References

[1]  1 Ruppert W, Muenster A. US Pat. 2,962, 1954: 388
[2]  2 Takahashi T, Sugiyama K, Tomita K. J Electrochem Soc, 1967; 114: 1230
[3]  3 Nickl J J, Reiche M, Vesper R. In: Glaski F A ed., Proc 3rd Int Conf on Chemical Vapour Deposition, Electrochemical Society, Princetown, 1972: 369
[4]  4 Steinmann P A, Hintermann H E. J Vac Sci Technol, 1985; A 3: 2394
[5]  5 Kim D G, Yoo J S, Chun J S. J Vac Sci Technol, 1986; A4: 219
[6]  6 Yoon S G, Kim H G, Chun J S. J Mater Sci, 1987; 22: 2629
[7]  7 Schintlmeister W, Pacher O, Pfaffinger K, Raine T. J Electrochem Soc, 1976; 123: 924
[8]  8 Vuorinen S, Horsewell A. J Met Sci, 1982; 17: 589
[9]  9 Ljungqvist R. In: Glaski F A ed., Proc 3rd Int Confon Chemical Vapour Deposition, Electrochemical Society, Princetown, 1972: 363
[10]  10 伊藤秀章,榷田正夫,松山幸三.金属表面技术,1984;35:590
[11]  11 Ruppert W. In: Glaski F A ed., Proc 3rd Int Confon Chemical Vapour Deposition, Electrochemical Society, Princetown, 1972: 340
[12]  12 Lotgering F K. J Inorg Nucl Chem, 1959; 9: 113

Full-Text

Contact Us

service@oalib.com

QQ:3279437679

WhatsApp +8615387084133