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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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非晶态CoFeNiNbSiB软磁薄膜的性质与弛豫过程的研究
, PP. 459-463
Abstract:
用射频溅射法系统研究了非晶态CoFeNiNbSiB软磁薄膜的制备工艺,发现在0.5Pa的低氩气压下,可以得到性能优良的软磁薄膜,而且膜的性能受衬底偏压影响很小.经旋转磁场退火热处理后,膜的起始磁导率一直到10MHz都可在3000以上,表现出良好的频率特性.用电阻法研究了非晶膜在退火过程中的结构变化过程,发现高温下非晶膜明显经历了四个连续的阶段。
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