%0 Journal Article
%T 非晶态CoFeNiNbSiB软磁薄膜的性质与弛豫过程的研究
%A 刘宜华
%A 梅良模
%A 王德新
%A 郭贻诚
%J 金属学报
%P 459-463
%D 1987
%X 用射频溅射法系统研究了非晶态CoFeNiNbSiB软磁薄膜的制备工艺,发现在0.5Pa的低氩气压下,可以得到性能优良的软磁薄膜,而且膜的性能受衬底偏压影响很小.经旋转磁场退火热处理后,膜的起始磁导率一直到10MHz都可在3000以上,表现出良好的频率特性.用电阻法研究了非晶膜在退火过程中的结构变化过程,发现高温下非晶膜明显经历了四个连续的阶段。
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1987/V23/I5/459