Si在Al—0.35wt—%Si合金表面的非平衡偏聚
, PP. 63-66
Keywords: 非平衡偏聚,空位,铝硅合金,表面
Abstract:
金相、X射线电子能谱和显微硬度等实验表明,Si在Al-0.35wt-％Si合金氧化膜下的过饱和空位造成的空位坑中有Si的偏聚.这种偏聚只能用空位-Si原子复合体扩散导致的非平衡偏聚理论来解释。
| [1] | 1 Aust K T, Hanneman R E, Niessen P, Westbrook J H. Acta Metall, 1968; 16: 291
|
| [2] | 2 余宗森,陈宁.中国科学,待发表
|
| [3] | 3 Joshi A, Shastry C R, Levy M. Metall TranS, 1981; 12A: 1081
|
| [4] | 4 Basu B K, Elbaum C. Acta Metall, 1965; 13: 1117
|
| [5] | 5 Kasen M B, Polonis D H. Acta Metall. 1962; 10: 821
|
| [6] | 6 Dorherty P E, Davis R S. Acta Metall. 1959; 7: 118
|
| [7] | 7 Kasen M B, Taggart R, Polonis D H. PhilOS Mag. 1966; 13: 453
|
| [8] | 8 Tariyal B K, Ramaswami B. J Appl Phys. 1969; 40: 4822
|
| [9] | 9 Anthony T R. Acta Metall, 1970; 18: 307`
|
Full-Text
