%0 Journal Article
%T Si在Al—0.35wt—%Si合金表面的非平衡偏聚
%A 陈宁
%A 余宗森
%J 金属学报
%P 63-66
%D 1992
%X 金相、X射线电子能谱和显微硬度等实验表明,Si在Al-0.35wt-％Si合金氧化膜下的过饱和空位造成的空位坑中有Si的偏聚.这种偏聚只能用空位-Si原子复合体扩散导致的非平衡偏聚理论来解释。
%K 非平衡偏聚
%K 空位
%K 铝硅合金
%K 表面
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1992/V28/I9/63