%0 Journal Article %T Si在Al—0.35wt—%Si合金表面的非平衡偏聚 %A 陈宁 %A 余宗森 %J 金属学报 %P 63-66 %D 1992 %X 金相、X射线电子能谱和显微硬度等实验表明,Si在Al-0.35wt-%Si合金氧化膜下的过饱和空位造成的空位坑中有Si的偏聚.这种偏聚只能用空位-Si原子复合体扩散导致的非平衡偏聚理论来解释。 %K 非平衡偏聚 %K 空位 %K 铝硅合金 %K 表面 %U http://www.ams.org.cn/CN/Y1992/V28/I9/63