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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Si衬底上Co薄膜氧化观察
, PP. 270-272
Keywords: 薄膜,Ｃｏ－Ｓｉ化合物,氧化
Abstract:
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．
| [1] | 1Arnaud．J．d'Avitaya,ChroboczekY,d'AnterrocherC,GlastreG,CampidelliY,RosencherE．JCrystGrowth,1987:81;4632PhilipsJM,BatstoneJL,HenselJC,CerulloM,UnterwaldFC．JMaterRes,1989:4;1443VeaillenJY,DerrienJ,BadozDA,RosencherE,D'AnterrochesC．ApplPhysLett,1987:51;14484LorettoD,GibsonJM,YalisoveSM．MatResSocSympProc,1989:138;4035LauSS,MayerJ,TuKN．JApplPhys,1978:49;40056CheavalliverJ,LarsonAN．ApplPhys,1986:A39;141f
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