%0 Journal Article
%T Si衬底上Co薄膜氧化观察
%A 张灶利
%A 肖治纲
%A 杜国维
%J 金属学报
%P 270-272
%D 1994
%X 用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．
%K 薄膜
%K Ｃｏ－Ｓｉ化合物
%K 氧化
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1994/V30/I18/270