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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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离子束增强沉积氮化硅膜及TiAl抗高温氧化性能的改善
, PP. 164-172
Keywords: 氮化硅薄膜,ＴｉＡｌ,离子束增强沉积,高温氧化
Abstract:
用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）方法在金属间化合物ＴｉＡｌ上合成厚度为０．５，１，和２μｍ的氮化硅薄膜。所形成的薄膜为非晶态，膜与基底间存在混合的过渡区，膜与基底结合紧密用ＡＥＳ，ＸＲＤ和ＸＰＳ研究薄膜的组成和结构，高温循环氧化结果表明，经沉积膜的ＴｉＡｌ试样的抗氧化性能显著提高其中沉积０．５μｍ薄膜的试样表现出极好的抗循环氧化性能由ＳＥＭ及ＥＤＳ分析得出，良好的高温稳定性能、高的膜／基底结合力和形成富Ａｌ２Ｏ３和硅化物的保护层是提高ＴｉＡｌ抗高温氧化性能的主要因素．
| [1] | 1TaniguchiS,ShibataT,TakeuchiK．MalerTransJpmInstMet．1991;32:2992PerkinsRA,ChingKT,MeverGH．ScrMet,1987:21:15053KasaharaK,HashimotoK,DoiH,TsujimotoT．JJpnInstMet,1989;53:584UmakoshiY,YamaguchiM,SakagamiT,YamaneT．JMalerSci,1989;24:15995TaniguchiS,ShibataT,ItohS．MaterTransJpnInstMet,1991:32:1516TaniguchiS,LiuXianghuaiet．al．,MalerSciEng,1989;A121:5197LiuXianghuai,XueBin,ZhengZhihong,ZhouZuyao,ZouShichang．NuclInstrMethPhysRes．1989:B39:1858ZhouJiankun,Biersack JP,FinkD,MaterLett．1991;10(11):532
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