%0 Journal Article
%T 离子束增强沉积氮化硅膜及TiAl抗高温氧化性能的改善
%A 徐东
%A 朱宏
%A 汤丽娟
%A 杨云洁
%A 郑志宏
%A 柳襄怀
%A 谷口滋次
%A 柴田俊夫
%J 金属学报
%P 164-172
%D 1995
%X 用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）方法在金属间化合物ＴｉＡｌ上合成厚度为０．５，１，和２μｍ的氮化硅薄膜。所形成的薄膜为非晶态，膜与基底间存在混合的过渡区，膜与基底结合紧密用ＡＥＳ，ＸＲＤ和ＸＰＳ研究薄膜的组成和结构，高温循环氧化结果表明，经沉积膜的ＴｉＡｌ试样的抗氧化性能显著提高其中沉积０．５μｍ薄膜的试样表现出极好的抗循环氧化性能由ＳＥＭ及ＥＤＳ分析得出，良好的高温稳定性能、高的膜／基底结合力和形成富Ａｌ２Ｏ３和硅化物的保护层是提高ＴｉＡｌ抗高温氧化性能的主要因素．
%K 氮化硅薄膜
%K ＴｉＡｌ
%K 离子束增强沉积
%K 高温氧化
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1995/V31/I16/164