全部 标题 作者
关键词 摘要

OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用:99美元

查看量下载量

相关文章

更多...
金属学报  2002 

原位合成MoSi2-30%SiC复合材料的高温蠕变行为

, PP. 731-736

Keywords: MoSi2/SiC复合材料,原位合成,蠕变,位错

Full-Text   Cite this paper   Add to My Lib

Abstract:

研究了含30%SiC(体积分数)的热压原位合成MoSi2基复合材料及对比用的商用MoSi2与SiC混粉热压材料在1200-1400℃的压缩蠕变行为.结果表明,在60-120MPa应力条件下,原位合成复合材料的稳态蠕变速率都可维持在10-7s-1量级或更低的水平.高于1300℃,原位合成材料的稳态蠕变速率明显低于商用混粉材料的主要原因是MoSi2/SiC相界面为纯粹的原子结合,无SiO2非晶相存在.蠕变机制为位错蠕变,MoSi2基体中的位错类型为〈110〉与〈100〉.

References

[1]  Sadanada K, Jone H, Feng J. Ceram Eng Sci Proc, 1991;12(9-10): 1671
[2]  Jeng Y L, Lavernia E J, Wolfenstine J. Scr Metall Mater,1993; 29: 107X
[3]  Sun Z Q, Zhang L Q, Yang W Y, Zhang Y. Acta MetallSin, 1999; 35(Suppl.2): S393(孙祖庆,张来启,杨王(王月),张 跃.金属学报,1999;35(增刊2):S393)
[4]  Zhang L Q, Sun Z Q, Yang W Y, Zhang Y. Acta MetallSin, 1999; 35(Suppl.2): S408(张来启,孙祖庆,杨王(王月),张 跃.金属学报,1999;35(增刊2):S408)
[5]  Zhang L Q, Sun Z Q, Yang W Y, Zhang Y. Acta MetallSin, 1998; 34: 1205(张来启,孙祖庆,杨王(王月),张 跃.金属学报,1998;34:1205)
[6]  Sun Z Q, Zhang L Q, Yang W Y, Zhang Y. In: Imam MA, DeNale R, Hanada S, Zhong Z, Lee D N eds., The 3rdPacific Rim International Conference on Advanced Mate-rials and Processing, Vol.I, Honolulu, Hawaii, USA, July12-16, 1998, TMS, 1998: 305
[7]  Sun Z Q, Zhang L Q, Yang W Y, Fu X W, Zhu J. ActaMetall Sin, 2001; 37: 104(孙祖庆,张来启,杨王(王月),傅晓伟,朱 静.金属学报,1999;37:104)
[8]  Sun Z Q, Zhang L Q, Yang W Y, Fu X W. Acta MetallSin, 2001; 37: 369(孙祖庆,张来启,杨王(王月),傅晓伟.金属学报,2001;37:369)
[9]  Zhang L Q, Sun Z Q, Zhang Y, Yang W Y, Chen G N.Acta Metall Sin, 2001; 37: 325(张来启,孙祖庆,张 跃,杨王(王月).金属学报,2001;37:325)
[10]  Vasudevan A K, Petrovic J. J Mater Sci Eng, 1992; A155:1
[11]  Li J, Yang G Y, Zhu J, Zhang L Q, Yang W Y, Sun Z Q.J Am Cerom Soc, 2000; 83: 992
[12]  Suzuki M, Nutt S R, Aikin R M. Mater Res Soc SympProc, 1992; 273: 267

Full-Text

Contact Us

service@oalib.com

QQ:3279437679

WhatsApp +8615387084133