%0 Journal Article
%T 原位合成MoSi2-30%SiC复合材料的高温蠕变行为
%A 傅晓伟
%A 杨王玥
%A 张来启
%A 孙祖庆
%A 朱静
%J 金属学报
%P 731-736
%D 2002
%X 研究了含30%SiC(体积分数)的热压原位合成MoSi2基复合材料及对比用的商用MoSi2与SiC混粉热压材料在1200-1400℃的压缩蠕变行为.结果表明,在60-120MPa应力条件下,原位合成复合材料的稳态蠕变速率都可维持在10-7s-1量级或更低的水平.高于1300℃,原位合成材料的稳态蠕变速率明显低于商用混粉材料的主要原因是MoSi2/SiC相界面为纯粹的原子结合,无SiO2非晶相存在.蠕变机制为位错蠕变,MoSi2基体中的位错类型为〈110〉与〈100〉.
%K MoSi2/SiC复合材料
%K 原位合成
%K 蠕变
%K 位错
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2002/V38/I7/731