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ISSN: 2333-9721
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金属学报  2014 

PCB-HASL电路板在NaHSO3/Na2SO3溶液中的腐蚀电化学行为

DOI: 10.11900/0412.1961.2014.00087, PP. 1269-1278

Keywords: 印制电路板,热风整平无铅喷锡,NaHSO溶液,电化学腐蚀,扫描Kelvin探针

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Abstract:

采用电化学阻抗谱(EIS)和扫描Kelvin探针技术(SKP)研究了热风整平无铅喷锡处理印制电路板(PCB-HASL)在模拟电解质0.1mol/LNaHSO3以及不同pH值的0.1mol/LNaHSO3/Na2SO3溶液中的腐蚀行为与机理,探讨了浸泡时间和pH值对其腐蚀机理转变的影响,通过OM,SEM结合EDS对PCB-HASL表面上腐蚀产物形核和扩展行为进行了观察和分析.结果表明,PCB-HASL试样在酸性NaHSO3/Na2SO3溶液体系中的腐蚀形式类似点蚀,浸泡前期腐蚀坑加速扩展,腐蚀产物主要为Sn的氧化物和硫酸盐.NaHSO3溶液能够活化PCB-HASL试样表面,且腐蚀坑形核仅发生在浸泡初期.而在中性或碱性NaHSO3/Na2SO3溶液体系中,PCB-HASL试样表面腐蚀坑形成受到抑制,电解质溶液通过氧化膜向电极界面的传输过程限制了电极反应速率.

References

[1]  Zhao Y, Lin C J, Li Y, Du R G, Wang J R. Acta Phys-Chim Sin, 2007; 23: 1342 (赵 岩, 林昌健, 李 彦, 杜荣归, 王景润. 物理化学学报, 2007; 23: 1342)
[2]  Huang H L, Dong Z H, Chen Z Y, Guo X P. Corros Sci, 2011; 53: 1230
[3]  Zou S W, Li X G, Dong C F, Ding K K, Xiao K. Electrochim Acta, 2013; 114: 363
[4]  Xiao K, Zou S W, Dong C F, Wu J S, Li X G. Sci Technol Rev, 2011; 29: 25 (肖 葵, 邹士文, 董超芳, 吴俊升, 李晓刚. 科技导报, 2011; 29: 25)
[5]  Qi H, Ganesan S, Pecht M. Microelectron Reliab, 2008; 48: 663
[6]  Shibutani T, Yu Q, Shiratori M, Pecht M G. Microelectron Reliab, 2008; 48: 1033
[7]  Fukuda Y, Osterman M, Pecht M. Microelectron Reliab, 2007; 47: 88
[8]  Park Y W, Sankara Narayanan T S N, Lee K Y. Tribol Int, 2008; 41: 616
[9]  Ammar I A, Darwish S, Khalil M W, Galal A. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik, 1983; 14: 330
[10]  Jouen S, Hannoyer B, Piana O. Surf Interf Anal, 2002; 34: 192
[11]  Ahmed M A K, Fjellvag H, Kjekshus A. Acta Chem Scand, 1998; 52: 305
[12]  Zou S W, Li X G, Dong C F, Li H Y, Xiao K. Acta Metall Sin, 2012; 48: 687 (邹士文, 李晓刚, 董超芳, 李慧艳, 肖 葵. 金属学报, 2012; 48: 687)
[13]  Sun M, Xiao K, Dong C F, Li X G, Zhong P. Acta Metall Sin, 2011; 47: 442 (孙 敏, 肖 葵, 董超芳, 李晓刚, 钟 平. 金属学报, 2011; 47: 442)
[14]  Rohwerder M, Turcu F. Electrochim Acta, 2007; 53: 290
[15]  Zhao W M, Wang Y, Xue J, Wu K Y. Acta Metall Sin, 2005; 41: 178 (赵卫民, 王 勇, 薛 锦, 吴开源. 金属学报, 2005; 41: 178)
[16]  Sasaki T, Kanagawa R, Ohtsuka T, Miura K. Corros Sci, 2003; 45: 847
[17]  Mori M, Miura K, Sasaki T, Ohtsuka T. Corros Sci, 2002; 44: 887
[18]  Chang H, Chen H T, Li M Y, Wang L, Fu Y G. J Electron Mater, 2009; 38: 2170

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