ADP点状籽晶(100)面的生长

ADP晶体点状籽晶生长实验结果表明：生长温度处于20~40℃，相变驱动力介于0.005KT/ωs~0.03KT/ωs之间时，籽晶(100)晶面的生长速率随过饱和度的增加而线性增加；在相变驱动力一定时，晶面生长速率随温度的升高而呈指数增加；晶面的生长动力学规律与体扩散输运机制下的螺位错生长机制相符；相变驱动力低于临界驱动力时，晶体生长存在着热力学因素造成的死区。相变驱动力介于相变驱动力介于0.05KT/ωs~0.11KT/ωs之间时，(100)晶面的生长速率随过饱和度的增加而呈非线性增加，晶面生长趋近于多二维核生长，但同时也有其它生长机制并存。