%0 Journal Article
%T ADP点状籽晶(100)面的生长
%A 喻江涛
%A 李明伟
%A 曹亚超
%A 程旻
%A 石航
%J 重庆大学学报
%D 2009
%R 10.11835/j.issn.1000-582X.2009.08.004
%X ADP晶体点状籽晶生长实验结果表明：生长温度处于20~40℃，相变驱动力介于0.005KT/ωs~0.03KT/ωs之间时，籽晶(100)晶面的生长速率随过饱和度的增加而线性增加；在相变驱动力一定时，晶面生长速率随温度的升高而呈指数增加；晶面的生长动力学规律与体扩散输运机制下的螺位错生长机制相符；相变驱动力低于临界驱动力时，晶体生长存在着热力学因素造成的死区。相变驱动力介于相变驱动力介于0.05KT/ωs~0.11KT/ωs之间时，(100)晶面的生长速率随过饱和度的增加而呈非线性增加，晶面生长趋近于多二维核生长，但同时也有其它生长机制并存。
%K ADP晶体
%K 相变驱动力
%K 点状籽晶
%K 生长速率
%K 生长机制
%U http://qks.cqu.edu.cn/cqdxzrcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=200908005&flag=1