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重庆大学学报 2004
室温溅射沉积ZnO:Al薄膜的工艺Keywords: ZnO,Al薄膜,磁控溅射,光电特性,室温,溅射沉积,薄膜表面,工艺参数,Room,Temperature,RF,Magnetron,Sputtering,方块电阻,最小,条件,时间,sccm,联系,存在,比例,靶材,氧量,结果,实验,影响,射频功率 Abstract: ZnO:Al薄膜是一种N型宽带隙半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性.采用射频磁控溅射工艺,在室温下用氧化锌铝陶瓷靶(3wt%Al2O3)溅射沉积透明导电ZnO:Al薄膜,研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压和射频功率对其光电特性的影响.实验结果表明:通氧量与靶材中含氧比例存在紧密联系,本实验在氧流量为0sccm,射频功率400W,Ar气为0.7Pa,溅射时间为2.5h的条件下,制备的ZAO薄膜最小方块电阻为65Ω/□,薄膜表面略显黄色.
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