%0 Journal Article
%T 室温溅射沉积ZnO:Al薄膜的工艺
%A 黄佳木
%A 董建华
%A 张兴元
%J 重庆大学学报
%D 2004
%X ZnO:Al薄膜是一种N型宽带隙半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性.采用射频磁控溅射工艺,在室温下用氧化锌铝陶瓷靶(3wt%Al2O3)溅射沉积透明导电ZnO:Al薄膜,研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压和射频功率对其光电特性的影响.实验结果表明:通氧量与靶材中含氧比例存在紧密联系,本实验在氧流量为0sccm,射频功率400W,Ar气为0.7Pa,溅射时间为2.5h的条件下,制备的ZAO薄膜最小方块电阻为65Ω/□,薄膜表面略显黄色.
%K ZnO
%K Al薄膜
%K 磁控溅射
%K 光电特性
%K 室温
%K 溅射沉积
%K 薄膜表面
%K 工艺参数
%K Room
%K Temperature
%K RF
%K Magnetron
%K Sputtering
%K 方块电阻
%K 最小
%K 条件
%K 时间
%K sccm
%K 联系
%K 存在
%K 比例
%K 靶材
%K 氧量
%K 结果
%K 实验
%K 影响
%K 射频功率
%U http://qks.cqu.edu.cn/cqdxzrcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=200404149&flag=1