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重庆大学学报 2004
Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响Keywords: 新种子层,Nb含量,零场电阻率,磁电阻,含量,纳米级,NiFe,薄膜微结构,磁电阻,影响,Concentration,Influence,Films,Nanometer,微观机制,坡莫合金,变化,研究,零场电阻率,样品,测量,合金系,法制,直流磁控溅射 Abstract: 以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(△R/R)和微结构.研究了ρ、△R/R随Nb含量的变化.探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和△R/R影响的微观机制.
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