%0 Journal Article
%T Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响
%A 刘俊
%A 郑瑞伦
%A 陈希明
%A 董会宁
%J 重庆大学学报
%D 2004
%X 以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(△R/R)和微结构.研究了ρ、△R/R随Nb含量的变化.探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和△R/R影响的微观机制.
%K 新种子层
%K Nb含量
%K 零场电阻率
%K 磁电阻
%K 含量
%K 纳米级
%K NiFe
%K 薄膜微结构
%K 磁电阻
%K 影响
%K Concentration
%K Influence
%K Films
%K Nanometer
%K 微观机制
%K 坡莫合金
%K 变化
%K 研究
%K 零场电阻率
%K 样品
%K 测量
%K 合金系
%K 法制
%K 直流磁控溅射
%U http://qks.cqu.edu.cn/cqdxzrcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=2004012475&flag=1