谷胱甘肽、表面活性剂共存体系对青蒿素过氧键稳定性的影响

青蒿素的过氧桥键是其抗疟作用的关键部位。采用循环伏安法研究了谷胱甘肽、表面活性剂共存体系对青蒿素过氧键稳定性的影响。实验表明,当青蒿素浓度为1.0mmol/L,谷胱甘肽浓度≥2.0×10-5mol/L时,加入阳离子表面活性剂(1.0×10-5mol/L,DBDAB),在体系中形成了谷胱甘肽-青蒿素-DBDAB三元加合物,该加合物在-0.88V电位下还原,其还原峰电位比游离青蒿素的还原峰电位负移了240mV,其还原反应活化能升高了46.3kJ/moL,使青蒿素的过氧键更趋稳定;而阴离子表面活性剂对体系没有影响。进一步探讨了该三元加合物形成的电极机理。