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中国公共卫生 2009
硫氰根电化学行为及其痕量测定DOI: 10.11847/zgggws2009-25-11-35, PP. 1343-1344 Keywords: 硫氰根(SCN-),电化学预处理玻碳电极(PGCE),循环伏安法(CV),示差脉冲伏安法(DPV) Abstract: ?目的研究硫氰根的电化学行为并对其进行痕量测定。方法将玻璃碳电极进行电化学预处理,研究硫氰根在该电极上的电化学行为并进行痕量测定。结果硫氰根在预处理玻碳电极上的氧化反应为不可逆的吸附过程,氧化峰电位为0.81V,线性范围和检测限分别是6.7×10-6~6.7×10-4mol/L和3.3×10-6mol/L(S/N=3)。结论该修饰电极可用于痕量硫氰根的直接测定。
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