%0 Journal Article
%T 硫氰根电化学行为及其痕量测定
%A 何婧
%A 刘扬
%A 潘云凤
%A 王小平
%A 顾海鹰
%J 中国公共卫生
%P 1343-1344
%D 2009
%R 10.11847/zgggws2009-25-11-35
%X ？目的研究硫氰根的电化学行为并对其进行痕量测定。方法将玻璃碳电极进行电化学预处理,研究硫氰根在该电极上的电化学行为并进行痕量测定。结果硫氰根在预处理玻碳电极上的氧化反应为不可逆的吸附过程,氧化峰电位为0.81V,线性范围和检测限分别是6.7×10-6~6.7×10-4mol/L和3.3×10-6mol/L(S/N=3)。结论该修饰电极可用于痕量硫氰根的直接测定。
%K 硫氰根(SCN-)
%K 电化学预处理玻碳电极(PGCE)
%K 循环伏安法(CV)
%K 示差脉冲伏安法(DPV)
%U http://manu40.magtech.com.cn/Jweb_zgggws/CN/abstract/abstract11830.shtml