MBE生长高功率列阵激光器的研究

？利用V80型MBE生长GaAIAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)结构。测试结果表明，该结构晶格和光学质量符合设计要求。制成激光器列阵，室温连续输出功率达7.2W，峰值波长为807～809nm，经柱透镜光纤耦合后的光强远场分布为θ∥=8°，θ丄=3.50°。