%0 Journal Article
%T MBE生长高功率列阵激光器的研究
%A 李忠辉
%A 王玲
%A 王玉霞
%A 杨进华
%A 张兴德
%J 兵工学报
%P 430-432
%D 2002
%X ？利用V80型MBE生长GaAIAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)结构。测试结果表明，该结构晶格和光学质量符合设计要求。制成激光器列阵，室温连续输出功率达7.2W，峰值波长为807～809nm，经柱透镜光纤耦合后的光强远场分布为θ∥=8°，θ丄=3.50°。
%K 分子束外延
%K 列阵激光器
%K 分别限制
%K 量子阱
%U http://118.145.16.231/jweb_bgxb/CN/abstract/abstract3202.shtml