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兵工学报 2005
用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现ー种激光测距电路, PP. 278-281 Keywords: 半导体技术,激光测距电路,全耗尽SOI结构,LDD结构,源漏Ti硅化物,高速低功耗 Abstract: ？在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体(SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上，采用薄膜全耗尽绝缘硅(SOI)结构，并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏(LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电路。测试结果表明：1.2μm器件101级环振单门延迟为252ps，总延迟为54.2ns．电路静态功耗约为3mW，动态功耗为15mW.
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