%0 Journal Article
%T 用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现ー种激光测距电路
%A 张新
%A 高勇
%A 刘善喜
%A 安涛
%A 徐春叶
%J 兵工学报
%P 278-281
%D 2005
%X ？在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体(SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上，采用薄膜全耗尽绝缘硅(SOI)结构，并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏(LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电路。测试结果表明：1.2μm器件101级环振单门延迟为252ps，总延迟为54.2ns．电路静态功耗约为3mW，动态功耗为15mW.
%K 半导体技术
%K 激光测距电路
%K 全耗尽SOI结构
%K LDD结构
%K 源漏Ti硅化物
%K 高速低功耗
%U http://118.145.16.231/jweb_bgxb/CN/abstract/abstract2767.shtml