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ISSN: 2333-9721
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兵工学报  2011 

氮氧化硅薄膜红外吸收特性的研究

, PP. 1255-1259

Keywords: 光学,薄膜,氮氧化硅,红外吸收,等离子体增强化学气相沉积

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Abstract:

?利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮氧化硅(SiOxNy)薄膜,通过X射线光电子能谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪等表征技术,研究不同N2O与NH3流量比R条件下薄膜的组分、光学常数及红外吸收特性。研究结果表明:随着流量比R的增加,SiOxNy薄膜中O的相对百分含量提高,N含量降低,而Si含量基本不变;薄膜由于Si—O、Si—N键形成的吸收峰峰值波长向短波(高波数)移动,变化范围为11.6μm(波数860cm-1)~9.4μm(波数1063cm-1),且吸收峰的宽度先增大后减小。此外,薄膜的折射率与薄膜中H含量也随流量比R的增加而降低。相比于SiOx,SiNx薄膜,组分特定的SiOxNy薄膜的吸收峰最宽且在长波红外窗口8~12μm内吸收强度最大,说明SiOxNy薄膜是一种良好的热探测器选择吸收层材料。

References

[1]  [1] Green M L, Gusev E P, Degraeve R, et al. Ultrathin (<4 nm) SiO2 and Si—O—N gate dielectric layers for silicon microelectronics: understanding the processing, structure, and physical and electrical limits[J]. Journal of Applied Physics, 2001,90(5): 2057-2121.

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