降低半导体桥/斯蒂芬酸铅发火能量的技术途径研究

？进一步降低半导体桥（SCB）换能元件发火能量是微机电系统（MEMS）引信用微型起爆系统发展的瓶颈技术。通过发火感度试验，获得了减小桥区尺寸、增加V型缺口、适当长宽比、降低药剂粒度等是降低SCB发火能量的有效技术途径。在试验方案范围内获得最小全发火电压3.83V，发火能量0.073mJ，最大不发火电流229.88mA.分析发火现象和电特性曲线得出：SCB换能元的桥区面积7.65×102μm2，质量3.55×10-6mg，临界发火属于电热发火；桥区面积5.68×102μm2，质量2.64×10-6mg，临界发火属于电爆发火。进一步降低半导体桥（SCB）换能元件发火能量是微机电系统（MEMS）引信用微型起爆系统发展的瓶颈技术。通过发火感度试验，获得了减小桥区尺寸、增加V型缺口、适当长宽比、降低药剂粒度等是降低SCB发火能量的有效技术途径。在试验方案范围内获得最小全发火电压3.83V，发火能量0.073mJ，最大不发火电流229.88mA.分析发火现象和电特性曲线得出：SCB换能元的桥区面积7.65×102μm2，质量3.55×10-6mg，临界发火属于电热发火；桥区面积5.68×102μm2，质量2.64×10-6mg，临界发火属于电爆发火。