%0 Journal Article
%T 降低半导体桥/斯蒂芬酸铅发火能量的技术途径研究
%A 严楠
%A 王刚
%A 何爱军
%A 鲍丙亮
%J 兵工学报
%P 789-794
%D 2014
%R 10.3969/j.issn.1000-1093.2014.06.006
%X ？进一步降低半导体桥（SCB）换能元件发火能量是微机电系统（MEMS）引信用微型起爆系统发展的瓶颈技术。通过发火感度试验，获得了减小桥区尺寸、增加V型缺口、适当长宽比、降低药剂粒度等是降低SCB发火能量的有效技术途径。在试验方案范围内获得最小全发火电压3.83V，发火能量0.073mJ，最大不发火电流229.88mA.分析发火现象和电特性曲线得出：SCB换能元的桥区面积7.65×102μm2，质量3.55×10-6mg，临界发火属于电热发火；桥区面积5.68×102μm2，质量2.64×10-6mg，临界发火属于电爆发火。进一步降低半导体桥（SCB）换能元件发火能量是微机电系统（MEMS）引信用微型起爆系统发展的瓶颈技术。通过发火感度试验，获得了减小桥区尺寸、增加V型缺口、适当长宽比、降低药剂粒度等是降低SCB发火能量的有效技术途径。在试验方案范围内获得最小全发火电压3.83V，发火能量0.073mJ，最大不发火电流229.88mA.分析发火现象和电特性曲线得出：SCB换能元的桥区面积7.65×102μm2，质量3.55×10-6mg，临界发火属于电热发火；桥区面积5.68×102μm2，质量2.64×10-6mg，临界发火属于电爆发火。
%K 兵器科学与技术
%K 半导体桥
%K 发火电压
%K 发火机理
%K 电爆
%U http://118.145.16.231/jweb_bgxb/CN/abstract/abstract1203.shtml