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, PP. 822-825
Keywords: 半导体技术,阳极氧化,非均匀阱宽,量子阱,脊形波导,超辐射发光管
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？采用阳极氧化方法和MBE生长技术进行了非均匀阱宽InGaAs/AIGaAs多量子阱超辐射发光管器件的设计和工艺制作，研究了三种条形结构器件的功率输出和光谱输出特性。在150mA的驱动电流条件下获得了10mW以上的超辐射光输出，光谱宽度约为18nm．
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