%0 Journal Article
%T 阳极氧化法制备超辐射发光管实验研究
%A 高欣
%A 薄报学
%A 张晶
%A 李辉
%A 曲轶
%J 兵工学报
%P 822-825
%D 2007
%X ？采用阳极氧化方法和MBE生长技术进行了非均匀阱宽InGaAs/AIGaAs多量子阱超辐射发光管器件的设计和工艺制作，研究了三种条形结构器件的功率输出和光谱输出特性。在150mA的驱动电流条件下获得了10mW以上的超辐射光输出，光谱宽度约为18nm．
%K 半导体技术
%K 阳极氧化
%K 非均匀阱宽
%K 量子阱
%K 脊形波导
%K 超辐射发光管
%U http://118.145.16.231/jweb_bgxb/CN/abstract/abstract2171.shtml