ー种新型カ电耦合超晶格半导体结构研究

？采用分子束外延方法在GaAs衬底(001)上生长了AIAs/GaAs双势垒超晶格薄膜结构，测试出超晶格薄膜在室温下随着外加压力变化下，其工一V特性曲线的漂移与外加压力成一定比例关系。为基于MEMS共振隧穿效应的力电耦合传感器的研究提供了一定的基础。