%0 Journal Article
%T ー种新型カ电耦合超晶格半导体结构研究
%A 张斌珍
%A 李科杰
%A 张文栋
%A 薛晨阳
%J 兵工学报
%P 178-181
%D 2007
%X ？采用分子束外延方法在GaAs衬底(001)上生长了AIAs/GaAs双势垒超晶格薄膜结构，测试出超晶格薄膜在室温下随着外加压力变化下，其工一V特性曲线的漂移与外加压力成一定比例关系。为基于MEMS共振隧穿效应的力电耦合传感器的研究提供了一定的基础。
%K 半导体技术
%K 力电耦合
%K 共振隧穿效应
%K 超晶格薄膜
%U http://118.145.16.231/jweb_bgxb/CN/abstract/abstract2310.shtml