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兵工学报 2008
低温分子束外延InGaAs非晶薄膜的微观结构和光学性质, PP. 1450-1453 Keywords: 半寻体技术,InGaAs非晶薄膜,径向分布函数,吸收系数,光学带隙 Abstract: ？采用分子束外延技术制备了单层InGaAs非晶薄膜，V／Ⅲ束流比分别为40:1和60:1.测试了样品各元素的摩尔百分比及X射线衍射特征，并利用场发射扫描电镜观察了样品的表面形貌。由X射线衍射数据计算了径向分布函数和双体相关函数，并分析了样品中距中心原子最近邻原子的平均距离、最近邻原子的配位数和短程有序畴。同时，由透射谱计算了材料的近红外吸收系数，计算出两片InGaAs非晶薄膜样品的光学带隙分别为0.886eV和0.822eV.
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