%0 Journal Article
%T 低温分子束外延InGaAs非晶薄膜的微观结构和光学性质
%A 么艳平
%A 刘春玲
%A 乔忠良
%A 李梅
%A 高欣
%A 薄报学
%J 兵工学报
%P 1450-1453
%D 2008
%X ？采用分子束外延技术制备了单层InGaAs非晶薄膜，V／Ⅲ束流比分别为40:1和60:1.测试了样品各元素的摩尔百分比及X射线衍射特征，并利用场发射扫描电镜观察了样品的表面形貌。由X射线衍射数据计算了径向分布函数和双体相关函数，并分析了样品中距中心原子最近邻原子的平均距离、最近邻原子的配位数和短程有序畴。同时，由透射谱计算了材料的近红外吸收系数，计算出两片InGaAs非晶薄膜样品的光学带隙分别为0.886eV和0.822eV.
%K 半寻体技术
%K InGaAs非晶薄膜
%K 径向分布函数
%K 吸收系数
%K 光学带隙
%U http://118.145.16.231/jweb_bgxb/CN/abstract/abstract1726.shtml