霍山石斛未成熟种胚的离体培养研究

霍山石斛九月和十月的未成熟种胚可以在含BA1mg/L和NAA0.5mg/L的MS或Kundson培养基正常发育并形成完整植株。未成熟种胚先在暗中培养22天,以后在低光强下培养,可以得到最高发芽率(91%),其最适的发芽温度是25～27℃。