%0 Journal Article
%T 霍山石斛未成熟种胚的离体培养研究
%A 杨其光
%A 王立安
%A 王立志
%J 中国中药杂志
%D 1989
%X 霍山石斛九月和十月的未成熟种胚可以在含BA1mg/L和NAA0.5mg/L的MS或Kundson培养基正常发育并形成完整植株。未成熟种胚先在暗中培养22天,以后在低光强下培养,可以得到最高发芽率(91%),其最适的发芽温度是25～27℃。
%K 霍山斛
%K 组织培养
%U http://www.cjcmm.com.cn/cjcmm/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=6044&flag=1