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科学通报 2001
Ge-SiO2薄膜的光致发光及其机制, PP. 525-528 Keywords: Ge-SiO2薄膜,射频磁控溅射,光致发光,发光机制 Abstract: 采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜.薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理.根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸.经600~1000℃退火,Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9nm增至6.1nm.在紫外光的激发下,所有样品都发出很强的394nm的紫光.随着Ge纳米晶粒的出现,样品有580nm的黄光发出,其强度随着晶粒的增大而增强.对于经不同温度退火的样品,这两个波段的峰位都保持不变.根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论.
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