%0 Journal Article
%T Ge-SiO2薄膜的光致发光及其机制
%A 董业民
%A 陈静
%A 汤乃云
%A 叶春暖
%A 吴雪梅
%A 诸葛
%A 兰剑
%A 姚伟国
%J 科学通报
%P 525-528
%D 2001
%X 采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜.薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理.根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸.经600~1000℃退火,Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9nm增至6.1nm.在紫外光的激发下,所有样品都发出很强的394nm的紫光.随着Ge纳米晶粒的出现,样品有580nm的黄光发出,其强度随着晶粒的增大而增强.对于经不同温度退火的样品,这两个波段的峰位都保持不变.根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论.
%K Ge-SiO2薄膜
%K 射频磁控溅射
%K 光致发光
%K 发光机制
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract367699.shtml