超薄坡莫合金薄膜
, PP. 1136-1139
Keywords: NiFe薄膜,各向异性磁电阻,矫顽力,结构
Abstract:
基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12nm)超薄薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)变化率达到1.2%,而矫顽力却只有127A/m.同较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜进行结构比较表明超高本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面光滑、平整、起伏小,薄膜致密,结构缺陷较少;而较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面粗糙、起伏大,薄膜较疏松、不均匀,结构缺陷较多.
Full-Text
