%0 Journal Article
%T 超薄坡莫合金薄膜
%A 于广华
%A 赵洪辰
%A 朱逢吾
%J 科学通报
%P 1136-1139
%D 2001
%X 基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12nm)超薄薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)变化率达到1.2%,而矫顽力却只有127A/m.同较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜进行结构比较表明超高本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面光滑、平整、起伏小,薄膜致密,结构缺陷较少;而较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面粗糙、起伏大,薄膜较疏松、不均匀,结构缺陷较多.
%K NiFe薄膜
%K 各向异性磁电阻
%K 矫顽力
%K 结构
%U http://csb.scichina.com:8080/CN/abstract/abstract367368.shtml