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, PP. 2035-2037
Keywords: GaMnAs单晶,稀磁半导体,X射线衍射,晶格参数,Mn组分
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对计算化合物晶体点缺陷的模型做了改进,在此基础上建立了一种精确测定GaMnAs中Mn组分的方法,并且在测定GaMnAs晶格参数的实验过程中,建立了一种消除X射线衍射仪零点漂移的方法,提高了测定晶格参数的精确度.采用该方法测试分析了离子束外延技术制备的GaMnAs单晶中Mn组分.
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