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华东理工大学学报 2010
(MgxZn1-x)2SiO4系列微波介质陶瓷材料, PP. 384-388 Keywords: 微波介质陶瓷,固相合成,离子取代,介电性能 Abstract: 通过Mg2+,Zn2+相互取代,制备出(MgxZn1-x)2SiO4系列微波介质陶瓷材料。实验结果表明:在(MgxZn1-x)2SiO4体系中,Mg2+,Zn2+相互取代降低了体系的烧结温度,随着x的增加,主晶相由具有硅锌矿结构的Zn2SiO4单一相,经历Zn2SiO4和Mg2SiO4相共存,逐渐转变成具有橄榄石结构的Mg2SiO4单一相。其中(Mg0.7Zn0.3)2SiO4样品的综合性能最佳,其烧结温度低(1400℃),介电常数εγ=6.75,介电损耗tanσ=1.86×10-3。
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