%0 Journal Article
%T (MgxZn1-x)2SiO4系列微波介质陶瓷材料
%J 华东理工大学学报
%P 384-388
%D 2010
%X 通过Mg2+，Zn2+相互取代，制备出(MgxZn1-x)2SiO4系列微波介质陶瓷材料。实验结果表明：在(MgxZn1-x)2SiO4体系中，Mg2+，Zn2+相互取代降低了体系的烧结温度，随着x的增加,主晶相由具有硅锌矿结构的Zn2SiO4单一相，经历Zn2SiO4和Mg2SiO4相共存，逐渐转变成具有橄榄石结构的Mg2SiO4单一相。其中（Mg0.7Zn0.3）2SiO4样品的综合性能最佳，其烧结温度低（1400℃），介电常数εγ=6.75，介电损耗tanσ=1.86×10-3。
%K 微波介质陶瓷
%K 固相合成
%K 离子取代
%K 介电性能
%U http://journal.ecust.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=201003013&flag=1