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哈尔滨工业大学学报 2011
低能质子辐射硬质硼硅玻璃的模拟计算DOI: 10.11918/j.issn.0367-6234.2011.01.002, PP. 7-11 Keywords: 质子辐射,硼硅玻璃,SRIM,能量损失,Bragg峰型 Abstract: 为获得低能质子辐射时硬质硼硅玻璃的损伤特征,利用蒙特卡罗(MC)计算程序——SRIM模拟了入射质子在硬质硼硅玻璃中产生的电离和非电离能损.模拟结果表明:能量为40～200keV的质子损伤主要发生在表面;电离能损是能量损失的主要形式,峰值能量为80keV;非电离能损随能量降低而增大,导致氧、硅和硼等空位型缺陷的产生;空位分布与声子分布及慢化质子的沉积相同,均满足Bragg峰型分布特性.40～200keV质子的电离和非电离能损均会导致硬质硼硅玻璃微观结构的变化.
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