%0 Journal Article
%T 低能质子辐射硬质硼硅玻璃的模拟计算
%A 王庆艳
%A 耿洪滨
%A 李兴冀
%A 张中华
%A 何世禹
%A 杨德庄
%J 哈尔滨工业大学学报
%P 7-11
%D 2011
%R 10.11918/j.issn.0367-6234.2011.01.002
%X 为获得低能质子辐射时硬质硼硅玻璃的损伤特征,利用蒙特卡罗(MC)计算程序——SRIM模拟了入射质子在硬质硼硅玻璃中产生的电离和非电离能损.模拟结果表明:能量为40～200keV的质子损伤主要发生在表面;电离能损是能量损失的主要形式,峰值能量为80keV;非电离能损随能量降低而增大,导致氧、硅和硼等空位型缺陷的产生;空位分布与声子分布及慢化质子的沉积相同,均满足Bragg峰型分布特性.40～200keV质子的电离和非电离能损均会导致硬质硼硅玻璃微观结构的变化.
%K 质子辐射
%K 硼硅玻璃
%K SRIM
%K 能量损失
%K Bragg峰型
%U http://journal.hit.edu.cn/hitxb_cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20110102&flag=1